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  发表于2023-05-09 回复（1）

• 在晶體管的熱阻抗，熱量大，考量必須有條件的記載以上的基板面積時，此時的計算方法該如何做較好呢？

  发表于2023-05-09 回复（1）

• NMOS其中一个管子发现有损伤，但是右面放大的 L-PVC发现规律的3个灰度，这个和 烧伤有关联吗？

  发表于2023-08-27 回复（1）

• 請告訴我電晶體的銲接條件為何?

  发表于2023-05-09 回复（1）

• 電晶體建議的焊盤圖案為何?

  发表于2023-05-09 回复（1）

• 請告訴我電晶體的型號說明。

  发表于2023-05-09 回复（1）

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  发表于2023-05-09 回复（1）

• 工作溫度範圍

  发表于2023-05-09 回复（1）

• MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？

  发表于2022-05-17 回复（7）

• 半導體零件是否依據UL規格？

  发表于2023-05-09 回复（1）

• 產品壽命是多久？

  发表于2023-05-09 回复（1）

• 请问已贴片焊接在PCB板上的器件，可以直接去做T-SCAN超声扫描确认器件分层情况吗？大家有没有这样操作过？

  发表于2022-05-16 回复（1）

• 请教诸位个问题啊，AEC-q100的htol中，有这么一句话：For devices containing NVM, endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.这个意思是说在 htol测试之前，需要先进行高温的NVCE吗？

  发表于2022-05-16 回复（1）

• 不同的测试的条件为影响MOSFET的数据表中的VGS(th)和BVDSS吗？ATE是如何判断的？

  发表于2022-05-17 回复（1）

• 產品的靜電放電容許量？

  发表于2023-05-09 回复（1）