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一文弄懂NPN型三极管共发射极放大电路原理

三极管的开与关三极管的工作状态为三种:截止,饱和和放大。三极管的截止和饱和想象成开关的关闭和开启,下图为典型的NPN型三极管共发射极放大电路...

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齐纳二极管的特性与设计案例讲解

齐纳二极管(Zener diode)又叫稳压二极管,也是一种特殊用途二极管,但由于齐纳二极管的是如此之重要,内容又比较多,所以这里单独拉出来...

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存储器技术发展概述

半导体存储技术在电子设计中占有重要的地位,在几乎任何包含处理器的系统中都会用到各种各样的存储器。 随着处理器的进化和发展,存储技术也跟随着不...

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引线键合和倒装焊封装制程工艺详解

信号完整性从系统级考虑的话,那就是Die-->Package-->PCB。Package部分的难点就是制程能力。SIP封装制程按...

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高速ADC/DAC电路及PCB设计要点梳理

概要在高速模拟信号链设计中,印刷电路板(PCB)布局布线需要考虑许多选项,有些选项比其它选项更重要,有些选项则取决于应用。最终的答案各不相同...

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一文了解PCB设计中的过孔

对于一个PCB初学者来说,了解其中的一些基础知识是非常重要的,这样能在之后的PCB设计中提高效率。在PCB设计中,过孔也称金属化孔。在双面板...

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趋肤效应在DDR电路中有什么作用?

趋肤效应对于广大工程师来说应该并不陌生,对于直流而言,电流分布在导体的整个横截面上。但是到高频以后,电流分布变得不均匀,大部分电流会集中在导...

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衬底偏压技术详析

随着集成电路工艺尺寸的不断降低,静态功耗在总功耗中所占的比例越来越大,甚至是主要位置(65nm工艺下,某些情况下静态功耗占总功耗的50%)。...

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深度了解S参数

对于一个射频工程师来说,S参数测量是射频设计过程中的基本手段之一,它将元件描述成一个黑盒子,并被用来模拟电子元件在不同频率下的行为。在有源和...

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处理器工作负载随着摩尔定律的放缓而变化的原因

关于摩尔定律在今天的有效性,有很多健康的争论。但不可否认的是,长期以来指导半导体行业的芯片性能每两年翻一番的可预测性正在放缓。最终,在物理上...

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三种自动驾驶主流架构方案对比(GPU、FPGA、ASIC)

当前主流的AI芯片主要分为三类,GPU、FPGA、ASIC。GPU、FPGA均是前期较为成熟的芯片架构,属于通用型芯片。ASIC属于为AI特...

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一文了解铜浆于LTCC中的应用

随着我国微电子产业水平的不断提高,电子封装技术向着高频高速、高可靠性、大尺寸、高度集成化方向发展,电子封装导体材料在新一代封装材料体系中发挥...

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晶体管共发射极电路设计

易于使用的电子电路设计指南,用于设计公共发射极晶体管放大器级的电子电路设计,显示电子元件值的计算。普通发射极放大器应用广泛,其电子电路设计相...

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一文了解SiC MOSFET的体二极管

SiC MOSFET由于具有高频高效,高耐压,高可靠性的优势,可以实现节能降耗,小体积,低重量,高功率密度。SiC MOSFET器件的体二极...

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几个三极管的应用电路解析

三极管有三个工作状态:截止、放大、饱和,放大状态很有学问也很复杂,多用于集成芯片,比如运放,现在不讨论。其实,对信号的放大我们通常用运放处理...

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DDR内存技术原理分析讲解

DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)是一种半导体存储器,对于DRAM来说,周期性地充电是...

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开关电源内的四个电流环路设计分析

所有开关电源设计的非常重要的一步就是印制电路板(PCB)的线路设计。如果这部分设计不当,PCB也会使电源工作不稳定,发射出过量的电磁干扰(E...

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半导体封装互连技术详解

任何一个电子元件,不论是一个三极管还是一个集成电路(Integrated Circuit, IC),想要使用它,都需要把它连入电路里。一个三...

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对比分析PT与NPT的结构

随着智能网联汽车、新能源、智慧照明、智慧交通等行业的快速发展,新型功能器件的节能功效越来越受重视,尤以IGBT为代表的快充技术更被视作未来十...

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怎样将傅里叶变换融会贯通?

众所周知,傅里叶变换是数学中最深刻的见解之一,学功底较差的同学听到傅里叶变换就头疼。事实上,许多数学功底好的数字信号处理专业的同学也不一定理...

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