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怎么判断晶振失效了?怎么解决?

一般情况下,晶振不起振的原因归纳如下:晶片断裂分析:晶片的化学成分为二氧化硅,与玻璃相同,属于清脆易碎品,在承受较大冲撞、跌落、强震动、温度...

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对比了解「无源晶体」与「 有源晶振」

普通压电无源石英晶体是一种无极性元件,晶体内部本身只有经过加工的单一石英晶片,英文单词叫做(Quartz crystal)需要借助设计的电路...

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MOSFET与IGBT的区别

1、由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但耐压能力没有IGBT强。2、IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就...

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连接器焊接不良失效分析

连接器作为电子产品中的重要组成部件之一,其焊接质量也会直接影响到电子产品的性能,尤其是多引脚的连接器其焊接不良普遍存在。由于连接器引脚的共面...

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611

可靠性测试

电气性能测试零部件环境可靠性零部件机械类可靠性

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半导体器件失效原因分析

  最近几年来,广大用户对电子设备的可靠性要求越来越高。与此同时,电子设备又变得越来越复杂。如何保证电子设备长期无故障地工作,这是人们的当务...

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电阻、电容、电感、半导体器件的失效分析

子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常...

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MLCC电容失效原因及失效分析

MLCC失效原因在产品正常使用情况下,失效的根本原因是MLCC 外部或内部存在如开裂、孔洞、分层等各种微观缺陷。这些缺陷直接影响到MLCC产...

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电感零件常见失效模式及分析手法简介

对于硬件工程师来说电子元器件失效是非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者完全失效会在硬件电路调试上面花费大把的时间...

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从微观结构分析一种波峰焊工艺造成的陶瓷电容失效

作者:杨航,王波,丁亭鑫。1. 前言多层陶瓷电容器(Multilayer ceramics capacitors, MLCCs)具有小尺寸、...

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芯片行业不再火热,你做好准备了吗?

最近,讨论芯片行业的文章多了起来。看来,很多人已经觉察到了风向的变化。这里梳理一下近期的消息。投资人对半导体初创公司已经非常谨慎。创业者,去...

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国产处理器芯片50家详细资料(TOP 50)

龙芯中科公司简称:龙芯中科中文名称:龙芯中科技术股份有限公司英文名称:LOONGSON公司总部:北京董事长/CEO:胡伟武主要产品:龙芯1号...

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​SiC的技术挑战和成本难题

碳化硅正在普及,但复杂的工艺和高缺陷限制了它的吸引力。碳化硅在功率半导体市场上越来越受欢迎,尤其是在电动汽车中,但对于许多应用而言,它仍然过...

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集成电路封装可靠性原理、案例分析及方案解决

可靠性常用术语集成电路封装常用可靠性试验对应的缺点项目BGA常用2025D——不导胶 2100A——导电胶导电胶对产品可靠性的影响铜线键合对...

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干货丨IGBT模块结构及老化简介

对于工程设计人员来讲,IGBT芯片的性能,可以从规格书中很直观地得到。但是,系统设计时,这些性能能够发挥出来多少,就要看封装了,毕竟夏天穿着...

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PCB的电镀夹膜失效问题及解决方案

随着PCB行业迅速发展,PCB逐渐迈向高精密细线路、小孔径、高纵横比(6:1-10:1)方向发展,孔铜要求20-25Um,其中DF线距≤4m...

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干货 | 常见三极管电路的几种分析方法

三极管有静态和动态两种工作状态。未加信号时三极管的直流工作状态称为静态,此时各极电流称为静态电流,给三极管加入交流信号之后的工作电流称为动态...

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中国半导体功率器件 TOP10 (附报告)

一、物联网驱动的电动化和智能化带来功率半导体新周期(一)复盘 2020-2021 年功率半导体周期:涨价与隐忧2019 年底开启的 5G 手...

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SiC MOSFET 短路保护技术综述

摘要随着电力电子技术的飞速发展,SiC MOSFET 以优异的材料特性在高频、高压、高温电力电子应用中展现了显著的优势。然而,SiC MOS...

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一文看懂电路三个层次的集成

集成的层次电子系统的集成主要分为三个层次(Level):芯片上的集成,封装内的集成,PCB板级集成,如下图所示:芯片上集成的基本单元是晶体管...

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