在失效分析中,有种失效叫做参数漂移,这样的IC并不会表现出明显的漏电, 往往在分析过程中觉得无从下手,比如下面的Reference Voltage 的漂移失效：
1.客户上板后，发现Vref偏低，导致输出电压偏低；
2.样品烘烤以后，Vref有改善，但没有完全恢复；
3.开盖以后，Vref 恢复至正常范围附近；
Vref comparison after bake and decapsulation
仅仅做了上述的步骤以后，并不能得出明确的实效模式：
1.如何完全排除湿气的影响？
太高的温度在去除湿气的同时，又使得可动离子重新分布，同样封装应力也会重新分布，因此太高的烘烤温度不合适。于是，这里建议采用真空烘箱来去除水分，在低压下，水的沸点随之下降，这样相对较低的温度下，湿气也可以去除。
Vref did not shift after vacuum baking and ruled out the moisture effect
2.如何判别是不是可动离子的影响？
可动离子：在一定温度，一定电场下，例如Na 离子会发生移动，比如从SiO2中移动到SiO2/Si 的界面处，从而影响了器件特性；如下样品在Baking 以后Vref有恢复，但在电应力24小时以后，Vref并没有恢复至初测值，因此可以排除可动离子的影响；
Vref did not shift to origin data after electical stress and excluded MIC effect
3.如何理解客户一上板就会出现这样的失效？
为了复现失效，取同批产品做Preconditon MSL3，precondition 过程正是模拟产品包装运输到上板的过程。发现在Precondition 以后，Vref跌落严重，在开盖以后恢复至正常范围内，因此怀疑是封装应力导致的参数偏移；至于为何开以后Vref 升高到比初始值还高，我想这种差别是封装带来的，如果你去查看CP的数据和FT的数据分布，你会发现FT的数据分布相比CP变胖了。
4.那遇到参数漂移的失效品，如何一步一步分析才合理？下面分享我自己的想法。
Typical FA flow for parameter shift failure
