作为一个失效分析工程师，我想都会遇到这样的情况：
拿到一个失效样品，一系列操作上去，最后开盖发现有烧伤痕迹。
又或者，die表面没有看到异常，通过热点定位并FIB切出来发现烧伤。
此处欢呼~OK总算找到失效点啦。嗯，开始写报告，就是EOS嘛！
但是心中不免有疑问，为什么会在这儿烧伤呢，是其它功能导致这个地方电流大？是电压过高？是瞬间高压ESD？还是电路设计问题？回想FA的初衷，我想FA不应该止步于看到burn mark。而事实证明，某些客户就明确说我们不接受简单一个EOS。这个问题值得我们去深挖。
因为之前大约一年一直在断断续续研究去层-delayer，也翻看了许多资料文献，收获不少。恰好了解到一些去层在EOS分析时的应用，记录下来：
烧伤往往发生在ESD保护电路中：如下图。
我们可以通过去层的方式去详细了解烧伤情况：这里以两层金属的IC为例
- Case1.仔细检查，如果发现有闪电型（被描述成”zap mark”）的损伤点，那可以大致判定为由于电压过高引起的烧伤--- Voltage induced EOS.
Case2. 如果是电流过大，仔细检查，如果发现器件的某一个极上有烧毁并显示为熔融过的痕迹，很大概率，这是由于通过了过大的电流导致的烧伤—Current induced EOS.
Case 3.如果去层之后发现的烧伤面积比较大，整个ESD区域都有烧毁的痕迹，那就考虑判定为：内部发生了ESD事件并且造成了异常的电流（或者功率）导致烧毁。
Case4. 设计问题。去层至衬底发现ESD保护二极管处没有烧毁，而工作的管子有烧毁。说明ESD-ZD没有起到保护的作用。
- 最后分享一个实际的案例：
Decap 后发现芯片表面很轻微鼓包，这个位置正好是一个钳位电路，异常电位造成了输出异常，去层后发现只在栅极区域发生烧毁，判定为电流型的EOS。
参考文献：USE OF PARALLEL POLISHING TECHNIQUE FOR ROOT CAUSE DETERMINATION OF EOS DEVICES，W.B. Len and M. Xue，Infineon Technologies Asia Pacific Pte Ltd
