暑假来了，EBSD大放价！

# 科普小栏目—EBSD #

电子背散射衍射（EBSD）分析是在扫描电镜中应用的一种十分方便有效的晶体分析技术。

对于固定的入射电子束，应用该技术可以获得块状厚试样的晶体学信息例如测定晶体结构、测定晶体方位及取向关系、晶界的取向差、区分不同材料以及有关局部晶体的完整性等。
      现在EBSD是一种快速而且自动化的技术，适用于大多数晶体材料，可提供的显微结构信息包括：晶粒的尺寸形状、物相鉴别与分布、织构和晶界特征等。

通过三个欧拉角来体现晶粒取向，图层可用于创建方向图，其中不同颜色显示不同方向，这是通过为各个欧拉角分配不同颜色（通常为红色、绿色和蓝色）来实现的。

晶界图图层提供了一种基于错误取向角度显示晶界的灵活方式。它用于显示像素之间的晶界，其中相邻像素到像素的方向变化大于用户定义的错误方向角。 

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通常可视化的边界类型有以下三种：

①高角度边界：具有高角度偏差的边界，通常大于 10°

②低角度边界：具有低角度偏差的边界，通常低于 10°

③亚晶界：晶粒内分隔两个亚晶的边界。亚晶界 通常具有较低的错误定向角，低于 10°。

反极图 (IPF) 彩色图显示 X、Y 或 Z 方向的晶体取向。它们允许根据样品坐标系（例如轧制方向）快速解释晶体取向。这种配色方案比 All Euler 配色方案更直观。但是，它一次只考虑一个方向。

极图 (PF) 可将映射区域的单个点测量值组合起来，以可视化它在特定平面中是否具有任何织构。

展示细微小角晶界位置图，KAM图显示微小的取向变化，突出显示样品内变形较大的区域。其不依赖于晶粒尺寸。在显示显微结构异质性发展的严重变形样品中有重要价值。

几何必要位错密度图，当结晶材料发生塑性变形时，晶粒边界或晶粒内区域的滑移失配会导致晶粒间的塑性应变梯度。

这些梯度会导致几何必要位错 (GND) 的形成，这是晶粒不同部分的兼容变形所必需的。

GND 密度图允许地图说明估计的几何必要位错密度，如从要产生的局部取向梯度导出的。