iPhone 11系列搭载的A13芯片-一探台积电7 nm技术节点产品的奥秘。
以下为A13芯片7 nm工艺的TEM剖析效果
结合STEM模式下的HAADF像和BF像，可以清晰区分大部分的膜层结构，但是需准确地了解每层结构的成分信息，必须进行进一步的成分分析。当膜层结构又小又多，同时又没有相应的layout情况下，准确判断合适的停刀位与保持样品的平整度是TEM制样的难点。
TEM搭载的EDS能谱仪是目前纳米级微区成分分析的强有力手段。它可以很好的剖析各个膜层的元素构成与分布，从而有利于反推工艺生长过程。EDS分析结果显示，7 nm制程与14 nm制程在某些金属层存在明显的差异。
透射电镜的优势之一是于特定晶向下的高分辨成像。左侧图为Fin的高分辨像，中间图是Fin顶端的数码放大图，右侧图为Fin的EDS成分分析。由高分辨像可以看到单晶Si的周期性晶格排布，而其外层的HK则是以非晶形式存在。同时，由于Talos F200i不具备物镜球差校正器，高分辨像中仍可见局部的离域衬度。更值得注意的是，通过高分辨像已无法区分HKMG中各膜层的分布了，而是必须借助成分分析加以区分HKMG各膜层（右侧图）。
文章转载自季丰实验室
