请教各位，对于芯片寿命加速实验的电压加速因子（参照AF(V)=EXP[Z*(Vstress-Vuse)]模型）有如下疑问：MCU芯片有3个Vuse，分别是3.3V、 1.8V 、1.1V, 正常情况下Vstress分别是用1.1倍Vuse来进行电压加速老化。但是如果需要将Vuse调整为3.3V 、1.8V 、1.2V来使用， 提问：这种情况下1.2V这路还适用这个加速模型吗？是否需要考核其他因素？

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