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MOSFET开通过程中，米勒平台振荡，如何计算有足够的能量打开MOSFET，以避免振荡发生？振荡的原因是不是VGS在米勒平台持续的时间不够，VDS电压没有完全降下去，也就是ID的电流没有完全导掉，VGS已经停止给CGD充电，但ID有多余的电路，反而给CGD充电，重新拉回VGS，这个过程反复循环造成振荡？
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咨询大家一个问题：如果把CP pad放在划片槽里面，会不会后续引起什么问题？但是这种CP pad还是要和内部电路相连接的，划的时候会不会出什么可靠性问题，我的意思是为了省面积，把CP pad放在划片槽，但是要和seal ring 里面的电路连接，或者把CP pad放在电路的上面有啥问题么？
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大家有没有好的方法可以分享交流？针对这种情况，如何比较好拆解器件？
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请教各位大神，哪位是在工业电子设计类公司的啊，工业电子客户端dppm一般要求是多少啊？
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请教一下，芯片管脚的等效负载电容要怎么测试呢？
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大家知道die level的时钟信号测量技术和方法不？
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请问各位这样的SHMOO各位有没有啥经验。这样的芯片正常flow还是pass的？如何才能筛出来？
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请教：一个芯片，管脚有110uA的漏电。做了热成像，中间亮的部分是电阻区。问题是，在芯片右下角边缘有亮，这个是否常见或正常？
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请教下， CU制程的芯片做FIB需要提供GDS吗？具体原因是什么？
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NMOS其中一个管子发现有损伤，但是右面放大的 L-PVC发现规律的3个灰度，这个和 烧伤有关联吗？
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請告訴我二極體的型號說明。
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